Reeferencia Proveedor : KIN-4GB 1600DDR3 SODIMM V2

Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin8 bancos internos independientesLatencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock8-bit pre-fetchLongitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial '000'), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]Diferencial de datos Strobe Bi-direccionalCalibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%)Terminación 'On Die' usando pin ODTPromedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC Reset AsíncronoPCB : Alto 1.180? (30.00mm), componentes a doble cara

Especificaciones tecnicas

• CL(IDD): 11 ciclos
• Tiempo de ciclo fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
• Actualizar a Active/Refresh tiempo comando (tRFCmin): 260ns (min.)
• Tiempo de ciclo fila (tRASmin) 35ns (min.)
• Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W (Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado)
• UL Rating 94 V - 0
• Temperatura de funcionamiento 0º C to 85º C
• Temperatura de almacenamiento -55º C to +100º C